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晶體管IV曲線(xiàn)圖示儀特點(diǎn)：
多功能：可作源和負(fù)載，又能測(cè)；
高效率：滿(mǎn)足多種測(cè)試需求；
可編程控制：高精度可調(diào)，靈活控制；
IV掃描：快速、直觀(guān)顯示，一步操作。
應(yīng)用領(lǐng)域：
分立半導(dǎo)體器件特性測(cè)試，電阻、二極管、發(fā)光二極管、齊納二極管、PIN二極管、BJT三極管、MOSFET、SIC、GaN等器件；
能量與效率特性測(cè)試，LED/AMOLED、太陽(yáng)能電池、電池、DC-DC轉(zhuǎn)換器等
傳感器特性測(cè)試，電阻率、霍爾效應(yīng)等
有機(jī)材料特性測(cè)試，電子墨水、印刷電子技術(shù)等
納米材料特性測(cè)試，石墨烯、納米線(xiàn)等
測(cè)試功能：
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微電路 |
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1 |
晶圓 |
L-IV測(cè)試，輸入曲線(xiàn)、輸出曲線(xiàn) |
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2 |
芯片 |
L-IV測(cè)試，輸入曲線(xiàn)、輸出曲線(xiàn) |
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器件 |
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1 |
二極管 |
正向?qū)妷?、正向電流、反向擊穿電壓、反向漏電?/span> |
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2 |
三極管 |
L-IV測(cè)試，輸入曲線(xiàn)、輸出曲線(xiàn) |
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3 |
MOSFET |
L-IV測(cè)試，輸入曲線(xiàn)、輸出曲線(xiàn) |
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4 |
IGBT |
L-IV測(cè)試，輸出曲線(xiàn)、轉(zhuǎn)移曲線(xiàn) |
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5 |
晶閘管 |
正向電壓電流曲線(xiàn)、反向電壓電流曲線(xiàn)、觸發(fā)特性 |
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電池 |
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1 |
鋰電池 |
IV測(cè)試，充放電掃描曲線(xiàn) |
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2 |
光伏電池 |
IV測(cè)試，放電掃描曲線(xiàn) |
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材料 |
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1 |
石墨烯 |
IV測(cè)試、輸入曲線(xiàn)、輸出曲線(xiàn) |
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2 |
納米線(xiàn) |
IV測(cè)試、輸入曲線(xiàn)、輸出曲線(xiàn) |
S系列源表特點(diǎn)：
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5寸800*480觸摸顯示屏，全圖形化操作
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內(nèi)置強(qiáng)大的功能軟件，加速用戶(hù)完成測(cè)試，如LIV、PIV
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源及測(cè)量的準(zhǔn)確度為0.1%，分辨率5位半
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四象限工作（源和肼），源及測(cè)量范圍：高至300V，低至10pA
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豐富的掃描模式，支持線(xiàn)性?huà)呙?、指?shù)掃描及用戶(hù)自定義掃描
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支持USB存儲(chǔ)，一鍵導(dǎo)出測(cè)試報(bào)告
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支持多種通訊方式，RS-232、GPIB及以太網(wǎng)
應(yīng)用優(yōu)勢(shì)：
1、 多功能測(cè)量需求下的廣泛的適應(yīng)性，電壓高300V，電流低至100pA；
2、 實(shí)現(xiàn)“源”的輸出和“表”的測(cè)量同步進(jìn)行，提高測(cè)試效率。
3、 具備對(duì)測(cè)試器件的保護(hù)功能，可進(jìn)行自我限制，避免因過(guò)充而造成的對(duì)測(cè)試器件的損害；
精確的電壓電流限制功能，為器件提供完善的保護(hù)功能，避免器件損壞。
4、 觸屏圖形化操作，使用簡(jiǎn)單。開(kāi)放式平臺(tái)，可根據(jù)實(shí)際應(yīng)用的需求而針對(duì)性的開(kāi)發(fā)軟件。
國(guó)產(chǎn)優(yōu)勢(shì)
1、自主研發(fā)，符合大環(huán)境下國(guó)內(nèi)技術(shù)自給的需求；
2、性?xún)r(jià)比高；
3、可及時(shí)與客戶(hù)溝通，為客戶(hù)提供高性?xún)r(jià)比系統(tǒng)解決方案。及時(shí)指導(dǎo)客戶(hù)編程，加速測(cè)試系統(tǒng)開(kāi)發(fā)。
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